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SLM2001S

200V低压驱动（dòng）芯片

样片申请

SLM2001S Datasheet

产品概述（shù）

产品特性

安规认证

典型应用图

产品（pǐn）概述

SLM2001S是一（yī）款（kuǎn）高压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集成电路和锁存（cún）免疫的（de）CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片驱动方（fāng）案。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导通。浮动（dòng）通道（dào）可用于驱动高（gāo）边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达（dá）200V。

产（chǎn）品特性

为自举操作设计的浮（fú）动通道

完全运行（háng）时电压（yā）高达 200V

容许瞬间负电（diàn）压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到（dào） 20V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 和（hé） 15V 逻（luó）辑（jí）输（shū）入兼（jiān）容

驱动（dòng）电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两通道间匹（pǐ）配传输（shū）延迟

输出信号与（yǔ）输（shū）入信号同（tóng）相

通过无铅（qiān）认证