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SLM2003S

200V低压驱动芯（xīn）片（piàn）

样片申（shēn）请

SLM2003S Datasheet.

产（chǎn）品概述（shù）

产品（pǐn）特（tè）性

安规认证

典型（xíng）应用图

产（chǎn）品概（gài）述

SLM2003S 是一款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用（yòng）专有的（de）高压集成电路和锁存（cún）免（miǎn）疫的（de）CMOS技术（shù）可提（tí）供可（kě）靠的（de）单（dān）芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有高脉（mò）冲电流缓冲（chōng）级，以减小驱动器交叉导（dǎo）通（tōng）。浮动（dòng）通道可用于驱动高边（biān）配（pèi）置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高（gāo）达（dá）200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全（quán）运行时电压（yā）高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范（fàn）围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两通（tōng）道间（jiān）匹配传（chuán）输延（yán）迟

通过无铅认证

提供 SOP-8 封装（zhuāng）选项（xiàng）