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SLM2005E

200V低压驱（qū）动（dòng）芯片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品（pǐn）特（tè）性

安规（guī）认证

典型应用图

产品概述

SLM2005E 是一（yī）款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集（jí）成电路和锁存免疫的（de）CMOS技术可提供（gòng）可靠的（de）单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支（zhī）持3.3V逻辑。输（shū）出驱动（dòng）器具（jù）有（yǒu）高（gāo）脉冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导（dǎo）通。浮动（dòng）通道可用于驱动（dòng）高（gāo）边（biān）配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特性

为自举操作（zuò）设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影（yǐng）响（xiǎng）

驱动（dòng）电（diàn）源（yuán）范围从 10V 到 18V

欠压（yā）闭（bì）锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入（rù）兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通道间匹配（pèi）传（chuán）输延迟

输出信号（hào）与输入信号同相

通过无铅认证