SLM2110是一款（kuǎn）高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立（lì）的高边、低边输（shū）出驱动信号（hào）。采用专有（yǒu）的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标（biāo）准（zhǔn）CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动（dòng）器具有高脉（mò）冲电流缓冲级，以（yǐ）减小驱动（dòng）器交（jiāo）叉导通（tōng）。延时匹（pǐ）配很方（fāng）便应用于高频设备。浮动（dòng）通道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达600V。
为自（zì）举供电设计的浮动通道（dào）
全电压范（fàn）围运行达600V
允（yǔn）许瞬态负电（diàn）压（yā），不（bú）受（shòu）dV/dt影响（xiǎng）
驱动电源范围（wéi）从10V到20V
欠（qiàn）压闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容
逻辑地和功（gōng）率地能承受±5V偏（piān）置（zhì）
防（fáng）止交叉导通（tōng）逻（luó）辑
输入有下拉电阻的COMS斯密特（tè）触发器（qì）
逐周期（qī）边缘（yuán）触发（fā）的（de）关闭逻辑
两通（tōng）道间匹配（pèi）传输延时
输入输出同相
典型开通（tōng）/关断（duàn）延（yán）时：140ns/140ns
典型驱动（dòng）电流：1A/1.6A
400 080 9938
