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SLM21364
600V 200/350mA高压三相半桥驱动芯(xīn)片
样片申请
SLM21364 Datasheet
产(chǎn)品概(gài)述
产品特性
安(ān)规认证
典型应(yīng)用图
产品概(gài)述

SLM21364是一款(kuǎn)高(gāo)压、高速的三相(xiàng)功率(lǜ)MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电(diàn)路和锁(suǒ)存免疫CMOS技术,提供可(kě)靠的单(dān)芯(xīn)片驱动(dòng)方案。逻(luó)辑输入电平与标(biāo)准CMOS或LSTTL输出兼容(róng),最低支持(chí)3.3V逻辑。通过检测(cè)外部电(diàn)流(liú)电阻上电流,过(guò)流保护功能能够关断(duàn)所有输出。使能引脚能同时控制6路(lù)输出开通或关断。提供漏(lòu)极开路(lù)的故障信号(hào)指示过流(liú)或者欠压关闭发生。通过连接(jiē)到RCIN输入的(de)RC网络外部编程延时(shí)后,过流故障(zhàng)条件自动清除。输出驱动器具有高脉(mò)冲电流缓冲级,以减小驱动器(qì)交叉导(dǎo)通(tōng)。延时匹(pǐ)配(pèi)很方(fāng)便(biàn)应用于高频设备。浮(fú)动(dòng)通道可用于驱动高(gāo)边(biān)配置(zhì)的(de)N型沟道功率MOSFET或IGBT,工作电(diàn)压(yā)可(kě)高达600V。

产品(pǐn)特性

为自举供电设计的浮动通(tōng)道

全电压范围运行达(dá)600V

允(yǔn)许瞬(shùn)态负电压,不(bú)受dV/dt影响

驱动电源(yuán)范围从10V到(dào)20V

欠压闭锁

高(gāo)低边(biān)输(shū)入(rù)输出同相

3.3V,5V逻(luó)辑兼容

低di/dt门极驱动抗干扰能力强

双通道的匹配延时

外部可编程延(yán)时的(de)自动故障清(qīng)理

典型死区时间:290ns

典型(xíng)开(kāi)通(tōng)/关断延时(shí):350ns/400ns

典型(xíng)驱动电流:200mA/350mA

SOP28W封(fēng)装

安规认证
典型应用图

21364.png

产品参数表(biǎo)

展开过滤(lǜ)器
Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
SLM21364CF-DGIGBT/ MOSFET0.2/0.3560010-20350/400100/40290100-40-125SOP28WReel/1000
应用案例(lì)

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