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SiLM2004E

200V低压驱动芯（xīn）片（piàn）

样片申（shēn）请

SiLM2004E Datasheet

产（chǎn）品（pǐn）概（gài）述

产品特性

安规认证

典（diǎn）型应用图

产品概述

SiLM2004E 是（shì）一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有（yǒu）的高（gāo）压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技（jì）术可提供可（kě）靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低（dī）支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动（dòng）器交叉导通（tōng）。浮动通道可（kě）用于（yú）驱（qū）动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产（chǎn）品（pǐn）特性

为自举操作设计的浮（fú）动通道（dào）

完（wán）全运行时电（diàn）压高达 200V

容许瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响（xiǎng）

驱（qū）动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉（chā）导通逻（luó）辑（jí）

两通道间匹（pǐ）配传输延迟

通过无铅认证（zhèng）

提供 SOP-8 封（fēng）装（zhuāng）选项