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SiLM2014A

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申（shēn）请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM2014A 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集（jí）成（chéng）电路（lù）和锁存免疫（yì）的（de）CMOS技术可提供可（kě）靠的单（dān）芯片驱动（dòng）方（fāng）案。逻（luó）辑输（shū）入电平与（yǔ）标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导通（tōng）。浮动通道可用于（yú）驱动高边配（pèi）置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入（rù）兼容

驱（qū）动（dòng）电流：1A/1.5A

防止交（jiāo）叉导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出信（xìn）号与输入信号同（tóng）相

通过（guò）无（wú）铅认证