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SiLM2024

200V, 290/600mA 半（bàn）桥驱动

样片申请

SiLM2024 Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规（guī）认证（zhèng）

典型（xíng）应用图

产品概述（shù）

SiLM2024 是一（yī）款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱（qū）动（dòng）器。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可（kě）靠的（de）单芯片驱动（dòng）方（fāng）案（àn）。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器（qì）具有高脉冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导通。浮动（dòng）通道可用于驱动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计（jì）的浮（fú）动通道

完全运（yùn）行时电压高达 200V

容（róng）许（xǔ）瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼（jiān）容

驱动电（diàn）流：290mA/600mA

典型的开通（tōng）/关断延时：680 ns/150 ns

死区时间：520 ns

防止交叉导通逻（luó）辑

两通道间（jiān）匹（pǐ）配（pèi）传输（shū）延迟