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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护（hù）低（dī）边门（mén）极驱动器

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品（pǐn）概述（shù）

产品（pǐn）特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概（gài）述

SiLM27511H系列是（shì）单通道高欠（qiàn）压保护低（dī）边门极驱动（dòng）器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关。SiLM27511H 采用（yòng）一（yī）种能够从内部极大的降（jiàng）低（dī）直（zhí）通（tōng）电流（liú）的（de）设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负（fù）载，以（yǐ）实现轨到（dào）轨（guǐ）的驱（qū）动能力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电（diàn）情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的（de）门（mén）极（jí）驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离（lí）器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流能力

快速的传播（bō）延时（典型值为 18ns）

快速的上升和下（xià）降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定（dìng）保（bǎo）护（hù） (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双（shuāng）输入设计(可选择（zé）反（fǎn）相或非反相（xiàng）驱动（dòng）配置)

输入（rù）浮空（kōng）时输出保持为低

工作温度范（fàn）围（wéi）为（wéi） -40°C 到 140°C