SiLM6201是一款集成了功率MOS对管（guǎn）的推挽电（diàn）源控（kòng）制器（qì）。内部功率（lǜ）MOS管的（de）驱动对称程（chéng）度高，从而（ér）减小推挽拓扑的（de）偏磁程（chéng）度。

该芯片还集（jí）成了三项提高可靠性的关键（jiàn）技（jì）术，第一是（shì）软启动功能，避免开机时大电流的冲击而损（sǔn）坏（huài）器件，并且保证在CC负载模（mó）式下带满载正（zhèng）常启动；第二是集成了输（shū）出短（duǎn）路保护（hù），该（gāi）保护一（yī）致性好（hǎo），不受电源加工时参数偏差（chà）的（de）影响，也不受（shòu）高低温测试条件的影响；第三（sān）是（shì）过温保护，超出规定的温度范围时（shí），芯片自动进（jìn）入休眠状态，若温度（dù）再次降低到（dào）设定值时可自动恢（huī）复。